功能/应用范围：	离子切割FIB、辅助沉积与刻蚀；扫描电镜观察,TEM 样品制备 ，STEM样品观察 EDS EBSD
主要附件：	1.GIS-束化选项 pt沉积 IEE绝缘物质改进的蚀刻(XeF2) 2.EDS(EDS仪器) EBSD(EDS仪器) 3.Quickloader(用于样品快速转移的样品加载室) 4.Dualbeam 5.plasmaclean 等离子清洗
主要技术指标：	场发射电子枪，电子束加速电压：350 V - 30 kV；Ga离子枪，离子束加速电压：500 V C 30 kV；分辨率：0.8 nm (@30kV, STEM)，0.9 nm (@15kV, SE), 1.4 nm (@1kV, SE)；配备Pt气体沉积源；配置STEM EBSD 样品台；安装Auto Slice&View软件可以实现自动化离子束切割成像. 配置IEE刻蚀.
技术特色：	先进的DoubleBeam可用于纳米尺度超高分辨率成像、分析和制造。 创新的ElstarTM电子镜筒构成Helios NanoLab高分辨率成像的基础。可实现高热量稳定性的恒定功率透镜、可实现更高探测线性和速度的静电扫描以及可实现各种条件下的超清晰成像。改进的穿透透镜探测器（TLD）用于探测最高采集效率的SE（二次电子）和轴BSE（背散射电子），探测器套组包括可伸缩的的固态背散射探测器和多分段STEM探测器。 主要提供服务项目：FIB样品 SEM观察 TEM制样 EDX分析 EBSD等等

单位介绍

•     盛美半导体设备（上海）有限公司，研发实验室主要分析仪器为FEI helios Nanolab 660.
      先进的DoubleBeam可用于纳米尺度超高分辨率成像、分析和制造。
      创新的ElstarTM电子镜筒构成Helios NanoLab高分辨率成像的基础。可实现高热量稳定性的恒定功率透镜、可实现更高探测线性和速度的静电扫描以及可实现各种条件下的超清晰成像。改进的穿透透镜探测器（TLD）

  

单位资质

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