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双束场发射电子显微镜

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  • 仪器详情
  • 美国FEI

  • 2014-07-11

  • FEI Helios NanoLab 660

  • 捷克

  • 分析仪器

  • 上海市

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  • 场发射电子枪,电子束加速电压:350 V - 30 kV;Ga离子枪,离子束加速电压:500 V C 30 kV;分辨率:0.8 nm (@30kV, STEM),0.9 nm (@15kV, SE), 1.4 nm (@1kV, SE);配备Pt气体沉积源;配置STEM EBSD 样品台;安装Auto Slice&View软件可以实现自动化离子束切割成像. 配置IEE刻蚀.

  • 离子切割FIB、辅助沉积与刻蚀;扫描电镜观察,TEM 样品制备 ,STEM样品观察 EDS EBSD

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盛美半导体设备(上海)有限公司

机构介绍:

    盛美半导体设备(上海)有限公司,研发实验室主要分析仪器为FEI helios Nanolab 660.
    先进的DoubleBeam可用于纳米尺度超高分辨率成像、分析和制造。
    创新的ElstarTM电子镜筒构成Helios NanoLab高分辨率成像的基础。可实现高热量稳定性的恒定功率透镜、可实现更高探测线性和速度的静电扫描以及可实现各种条件下的超清晰成像。改进的穿透透镜探测器(TLD)

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