场发射环境扫描电子显微镜
- 制造厂商：FEI
- 购置日期：暂无信息
- 型号：Quanta 250FEG
- 生产国别：美国
- 仪器类别：分析仪器
- 安放地址：江苏省
跨区域科技政策：
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- 仪器详情
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• 肖特基场发射电子枪 加速电压：0.2KV-30 kV 放大倍率：30万倍 分辨率： •高真空(HV)：1nm at 30kV (SE) 3.0nm at 1kV (SE) •低真空(LV)：1.4nm at 30kV (SE) 3.0nm at 3kV (SE) •环境真空(ESEM):：1.4nm at 30kV (SE) 背散射电子像：2.5 nm at 30kV (BSE) • EDS分辨率:优于136 eV，可分析包括B4以上的所有元素
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暂无信息
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•可在高真空、低真空（10-130Pa)、环境真空(10-4000Pa)下观察导电和不导电样品，对材料的表面和横截面的微观形貌、成分进行分析，广泛应用于陶瓷材料、金属材料、高分子材料、半导体材料、纳米材料等领域。 •可获得样品背散射成分衬度像(BSE)和二次电子像(SE)。 •配备的能谱无需液氮制冷，可进行快速的点、线、面分布分析，获得能谱的mapping图谱。
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物理学
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可在高真空、低真空（10-130Pa)、环境真空(10-4000Pa)下观察导电和不导电样品，对材料的表面和横截面的微观形貌、成分进行分析，广泛应用于陶瓷材料、金属材料、高分子材料、半导体材料、纳米材料等领域。
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• 肖特基场发射电子枪 加速电压：0.2KV-30 kV 放大倍率：30万倍 分辨率： •高真空(HV)：1nm at 30kV (SE) 3.0nm at 1kV (SE) •低真空(LV)：1.4nm at 30kV (SE) 3.0nm at 3kV (SE) •环境真空(ESEM):：1.4nm at 30kV (SE) 背散射电子像：2.5 nm at 30kV (BSE) • EDS分辨率:优于136 eV，可分析包括B4以上的所有元素
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请提前与设备管理员预约，商定测试方案及价格
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