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J.A.Woollam Co.,Inc
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2013-04-01
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M2000XF
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美国
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工艺实验设备
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上海市
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光谱范围： 193纳米到1000纳米，500个波长 聚焦光斑尺寸： 25μm X60μm 入射角： 65度 数据采集： 最优性噪比采样时间为1到5秒 可测量参数： 椭偏：ψ（0-90度）和Δ（0-360度）、反射强度比、退偏比 穆勒矩阵： 测量及拟合穆勒矩阵中的11个元素 连续旋转补偿器： 旋转速率20Hz 光束偏离： <1 arcmin 测量模式： 反射式、入射角固定 水平测量平台： 自动Z轴高度，分辨率1μm 300mmXY自动平移台：分辨率2.5μm 360度自动旋转台： 分辨率0.005度 最大样品尺寸： 300mm直径 最大样品厚度： 15mm
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椭偏测量技术（Ellipsometry）是一种非破坏光学测量技术，基于利用测试偏振光束测量经样品反射（或透射）后导致的光束偏振态的变化，进而进行分析拟合，得到所需光学信息。椭偏仪利用椭偏术测量薄膜的光学膜层厚度和光学常数、半导体及其氧化物成分的折射率和厚度、润滑层的厚度和表面粗糙度等；也可被用来监控粗糙多晶表面上的膜层生长，实现均匀镀膜等。在科学研究和工业生产的许多领域中获得广泛地应用。
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推荐仪器
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