快速退火炉
- 制造厂商：定制
- 购置日期：暂无信息
- 型号：RTP500
- 生产国别：中国
- 仪器类别：大气探测仪器
- 安放地址：江苏省
跨区域科技政策：
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- 仪器详情
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,快速热处理技术（RTP）可用于硅及化合物半导体材料离子注入后的缺陷消除/激活杂质，硅化物形成，欧姆/肖特基接触的制备以及快速氧化/氮化，消除薄膜应力，提高薄膜附着性等方面。该设备具有很好的长时间工作稳定性以及快速升降温，慢速升降温的功能，因此也可用于各种半导体材料PVD/CVD工艺的热处理。,
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,1、最大温度范围150℃-1350℃，限定使用温度范围150℃-900℃，900℃退火使用时间30s左右；600℃——900℃,最长退火时间180s，具体酌情而定。600℃及以下温度允许使用30min。 2、升温速率0.01-180℃/秒，可预设定 3、密封石英盒尺寸：210×140×14mm 4、PC机控制。 5、可编程温度曲线存储500条以上，每条曲线可包括50段以上，温度设定范围100℃-1300℃时间设定范围1-30000秒 6、实时温度曲线，显示及存储功能，存储实验曲线500条以上。 7、手动
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电子与通信技术
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用于硅及化合物半导体材料离子注入后的缺陷消除/激活杂质，硅化物形成，欧姆/肖特基接触的制备以及快速氧化/氮化，消除薄膜应力等
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用于硅及化合物半导体材料离子注入后的缺陷消除/激活杂质，硅化物形成，欧姆/肖特基接触的制备以及快速氧化/氮化，消除薄膜应力等
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,160元/小时,O2工艺200元/小时，O2流量不得大于2.5L/min,
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暂无信息
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